[供应] N沟道增强型功率MOSFET 车用LEDMOS:HS20N03

特征:

  1环境操作温度：175°C

  2低漏极和低导通电阻

  3逻辑电平

  4完善的栅极电荷×RDS（ON）的产品

  5卓越的热阻

  6额定雪崩

  7的dv / dt

  8快换降压型转换器

额定值（TJ  25°C，除非另有规定））

参数符号评分单位

漏源电压VDSS 30 V

栅源电压VGS±20 V

连续漏极电流（TC＝25°C）id 30 A

脉冲漏极电流（TC  25°IDM 120 C）

单脉冲（注3）EAS 15 MJ雪崩能量重复（注2）耳6兆焦耳

峰值二极管恢复dv/dt（注4）的dv / dt的6 kV /μS

功耗（TC  25°C）PD 60 W

结温TJ+ 175°C

存储温度容许55 ~ + 175°C