同方迪一讲述瓷片电容技术参数的发展历程
1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容 ；
30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容 ；
1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数 的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。
1960年左右陶瓷叠片电容 作为商品开始开发。
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，清华同方瓷片电容选型，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点。
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容 市场的70%左右。
同方迪一高压瓷片电容的特点
高压瓷片电容的一个主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见。电压一般大于1KV的电压。高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。较高的可达30KV的电压。
高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，鲁颖瓷片电容选型，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，很适合在电视收接机和扫描等电路中使用。
高压瓷片电容的典型作用是可以消除高频干扰，广泛应用于负离子产品、激光、控测设备、高压包、点火器、发生器、变压器、电力设备、倍压模块、焊机、静电喷涂及其他需要高压高频的机电设备。
同方迪一主要供应清华同方的圆片瓷片电容，高压瓷片电容主要特点：体积小，瓷片电容选型，耐压高，高频损耗小，稳定性好。
同方迪一教你如何正确选用瓷片电容
应依据路线应用运行状态和自然环境标准，挑选适合的型号规格，基本参数应达到路线应用规定。
（1）于高频率耦合电路，除规定电容器耗损小外，还规定容量有优良的温度可靠性，一般选用1类瓷介电容器，其容量基本上不随温度而转变，但其容量仅在几PF~好几百PF中间。
（2）针对做低頻藕合、旁通、过滤的电容器，陶瓷瓷片电容选型，通常考虑到中小型及成本低是关键的，而对耗损和容量的温度可靠性规定不高，一般可选用2类瓷介电容器，其容量挑选范畴较宽。
（3）瓷片电容器尽管抗压容量较塑料薄膜电容器和电解法电容器要大，但也不允许在超出其额定电流的标准下应用，不然因为电级中的金属离子在强静电场功效下再瓷片物质中的转移速率加速而造成电容器绝缘电阻降低而危害整个机械长期性工作中的稳定性。
（4）针对高溫和髙压标准下工作中的电容器，应留意选用绝缘电阻较高的商品，防止因走电扩大造成恶循环造成电容器无效。一般绝缘电阻IR≥10000MΩ。比如：在CRT加快极过滤部位应选用充足的绝缘电阻；针对行逆程电源电路，因对容量的可靠性和耗损规定较高，只有选用1类髙压瓷介电容器，作为聚丙稀电容器的容量无功补偿柜应用，不然会导致比较严重品质安全隐患。
瓷片电容与别的电容器对比，不同点关键瓷器电容器依据原材料不一样存有很多不一样的温度等级，其特点和容量范畴既有非常大差别。
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