1晶闸管的本身质量问题：
晶闸管是一种电力电子器件，是晶体闸流管（Thyristor）的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电气公司开发出世界上台晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，陕西进相器，双向晶闸管，逆导晶闸管，电机进相器，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，进相器厂家，在电路中用文字符号“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。目前国内生产厂家很多，但各家质量又良莠不齐，因此选用的晶闸管是使用好静止进相器的关键。
针对投切频繁这两点主要原因，需要选用质量过硬，抗干扰能力好的控制器。无功补偿控制器的选择非常重要，投切方式基本可以分为三种：动态、静态、动静结合。根据负荷的快慢，电气进相器，设计无功补偿的投切方式，动、静要分明，不能用动态去投接触器，也不要用静态去投晶闸管。根据补偿的需求还可以共补、分补，甚至可以采用行业里面少于见到的跨相补偿跨补两相，这样才能让每一个现场的无功补偿都能达到很好的效果。
低压集中补偿：是将低压无功补偿设备集中安装在工厂变电所的低压母线上。这种补偿方式能补偿变电所低压母线之前所有设备及线路的无功功率，便于维护，能降低选择变压器的额定容量及电能损耗。此方式在工厂中相当普遍。
分散就地补偿分散补偿装置是将补偿装置安装在需要进行无功补偿的个别容量较大且负荷较平稳的用电设备旁边。补偿装置一般与用电设备同事投入运行和断开。该补偿方式能够补偿安装部位以前所有的高低压线路及变压器的无功功率，能恰当地降低系统的损耗和维持系统的电压水平，因此补偿。但是这种补偿方式投资较大，补偿设备利用率较低。
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