[供应]大样片离子束刻蚀机哪家好-北京创世威纳-大样片离子束刻蚀机

大样片离子束刻蚀机哪家好-北京创世威纳-大样片离子束刻蚀机
发 布 地: 北京市
发布时间: 2019-10-21 8:05:23
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关 键 词: 磁控溅射镀膜机,电子束/热阻蒸发机,ICP,RIE,IBE
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离子束刻蚀机的原理

创世威纳——专业离子束刻蚀机供应商,我们为您带来以下信息。

利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子,ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,大样片离子束刻蚀机,属纯物理刻蚀。




刻蚀过程

普通的刻蚀过程大致如下:先在表面涂敷一层光致抗蚀剂,然后透过掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光,大样片离子束刻蚀机厂家,由于抗蚀剂层的已曝光部分和未曝光部分在显影液中溶解速度不同,经过显影后在衬底表面留下了抗蚀剂图形,以此为掩模就可对衬底表面进行选择性腐蚀。如果衬底表面存在介质或金属层,则选择腐蚀以后,图形就转移到介质或金属层上。

以上就是关于刻蚀过程的相关内容介绍,如有需求,欢迎拨打图片上的热线电话!




刻蚀气体的选择

对于多晶硅栅电极的刻蚀,腐蚀气体可用Cl2或SF6,要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2;刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2;刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2;刻蚀Al(或Al-Si-Cu合金)的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4;刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4;刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料,可选择气体种类较多,大样片离子束刻蚀机哪家好,比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为:CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e,大样片离子束刻蚀机价格,SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应, 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体 [3] 。

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大样片离子束刻蚀机哪家好-北京创世威纳-大样片离子束刻蚀机由北京创世威纳科技有限公司提供。北京创世威纳科技有限公司(www.weinaworld.com.cn)坚持“以人为本”的企业理念,拥有一支敬业的员工队伍,力求提供好的产品和服务回馈社会,并欢迎广大新老客户光临惠顾,真诚合作、共创美好未来。创世威纳——您可信赖的朋友,公司地址:北京市昌平区回龙观北京国际信息产业基地高新二街2号4层,联系人:苏经理。


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