温度传感器
碳湿敏元件是美国的 E.K.Carver 和 C.W.Breasefield 于1942年首先提出来的，与常用的毛发、肠衣和氯化锂等探空元件相比，碳湿敏元件具有响应速度快、重复性好、无冲蚀效应和滞后环窄等优点，因之令人瞩目。我国气象部门于70年代初开展碳湿敏元件的研制，并取得了积极的成果，其测量不确定度不超过±5%RH ，时间常数在正温时为2～3s，滞差一般在7%左右，比阻稳定性亦较好。
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温度传感器
温度传感器目前分为传统温度传感器和基于硅的温度传感器。传统温度传感器包括热敏电阻、电阻温度检测器和热电偶。这些器件是模拟器件，而温度传感器没有必要一定是模拟器件。基于硅的温度传感器能够输出其测量温度所代表的数字量。相比于需要外部信号调理电路和模数转换器的方法，这种方案简化了控制系统的设计。当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，温湿度传感器公司，为-2mV/℃，但是对于不同的晶体管，VBE变化的值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的IE值下比较ΔVBE。某些硅温度传感器产生模拟电压输出（VPTAT，即与温度成正比的电压），温湿度传感器生产厂，而其他的温度传感器则将VPTAT转换为电流输出。在数字输出温度传感器中，放大检测晶体管的VBE，然后与带隙基准电压比较，并将结果输入到Σ-Δ或逐次逼近寄存器ADC中转换为数字输出，精度可以是13bit或16bit，其中有效位被用作符号位。一种可替换的数字输出方案是采用脉宽调制（PWM），其温度和脉冲的导通与截止时间的比例成正比。由于导通时间是固定的，因此这些传感器可以按照需要执行单次测量以使功耗。
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温度传感器
在自动化生产中往往需要利用辐射测温法来测量或控制某些物体的表面温度，如冶金中的钢带轧制温度、轧辊温度、锻件温度和各种熔融金属在冶炼炉或坩埚中的温度。在这些具体情况下，物体表面发射率的测量是相当困难的。对于固体表面温度自动测量和控制，可以采用附加的反射镜使与被测表面一起组成黑体空腔。
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