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本征半导体、N型半导体、P型半导体
N型半导体和P型半导体的形成：
当金属氧化物是非化学计量，或引入杂质离子或原子可产生N型/P型半导体。
杂质是以原子、离子或集团分布在金属氧化物晶体中，存在于晶格表面或晶格交界处。这些杂质可引起半导体禁带中出现杂质能级。
如果能级出现在靠近半导体导带下部称为施主能级。施主能的电子容易激发到导带中产生自由电子导电。这种半导体称为N型半导体。
如果出现的杂质能级靠近满带上部称为受主能级。在受主能级上有空穴存在。很容易接受满带中的跃迁的电子使满带产生正电空穴关进行空穴导电，这种半导体称为P型半导体。
金属催化剂 一般情况下，处于中等吸附强度的化学吸附态的分子会有醉大的反应活性。太弱的吸附使反应物分子的化学键不能松弛或断裂，不易参与反应。太强的续费则会形成稳定的化学吸附覆盖于催化剂的表面，相当于催化剂的中毒或钝化。
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科学院大连化学物理研究所研究员王晓东和科学院院士张涛领导的研究团队长期致力于高分散金属催化剂的研究与开发，近期取得新进展，shou次制备出tio2负载的亚纳米rh催化剂并发现该催化剂能够在-50oc实现co的完全氧化，shou次实现了铂族金属在超低温下co的催化氧化。该工作获得审稿人的一致高度评价，认为是里程碑式的工作，以vip（top5%）形式发表在angew.chem.int.ed.上，并被推荐为后封面文章。
负载型金属催化剂的高分散不仅仅能够提高金属的利用效率，金属催化剂批发，而且能够改变反应物的吸附与反应行为。金属催化剂上co氧化在工业氢源净化、汽车尾气净化和环境污染物消除等方面具有重要的应用价值，同时作为典型的探针反应往往能够有助于了解催化剂结构与性能的关联。在co氧化领域，铂族金属（pt，ir，金属催化剂厂家，ru，金属催化剂，rh，pd）作为研究对象已有100多年，人们发现铂族金属表面较强的co吸附严重阻碍了o2的吸附与活化，导致其co氧化工作温度通常在100oc以上。
研究团队发现当铂族金属以亚纳米团簇形式高度分散时，其co氧化活性较传统催化剂有明显的提高
（angew.chem.int.ed.2012，51，2920;j.catal.2014，319，142;chemcatchem2014，金属催化剂，6，547;appl.catal.b2016，184，299），但实现室温乃至更低温条件下co的完全氧化仍极具挑战。在前期研究基础上，该研究成功合成出rh粒子尺寸为0.4-0.8nm的rh/tio2催化剂，发现该催化剂在-100oc的超低温条件下能实现co的催化氧化，与公认的高活性标准au催化剂活性相当。原位红外、epr等表征结合dft计算揭示了催化剂上超低温co氧化机理：o2在亚纳米rh和tio2界面处以超氧形式（rh-o-o-ti）得到活化，并与tio2上的弱吸附co发生反应。该研究不仅有助于人们重新认识铂族金属催化剂上co氧化行为，而且为高活性贵金属催化剂的研制与应用提供了新思路。
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