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摘要 : 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
二极管型号按照构造都有哪些分类？：⒈点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的⒉键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的。⒊合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。⒋扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。⒌台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉⒍平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，超低压肖特基二极管，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，二极管，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用⒎合金扩散型二极管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。⒏外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管
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摘要 : 在前面几期的ASEMI课堂中大家已经对低压降肖特基有了初步的认识，今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装。
相信通过前面几期的ASEMI课堂，大家都已经对低压降肖特基有了初步的认识。今天我们就来解析低压降全塑封SBT2060VFCT与半塑封SBT2060VCT封装差异与不同封装对低压降性能优势的发挥。
首先，一起来看一下这两款低压降肖特基二极管型号的封装差异，让我们首先来了解一下一下'CT'/'FCT'和“VCT”/“VFCT”的含义差别。
“CT”/“FCT”一般作为常规型肖特基二极管的封装标识，代表电性参数相同的不同封装形式，“FCT”代表全塑封封装，“CT”代表铁头封装。
“VCT”/“VFCT”则针对的是低压降肖特基二极管的封装标识，同样也是代表具有低压降技术的电性参数相同的不同封装形式，“VFCT”代表全塑封封装，“VCT”代表铁头封装。
常常会有工程或者采购朋友们咨询ASEMI的技术工程师，铁头跟塑封哪一种封装性能更突出，尤其在低压降肖特基二极管哪种能够将低压降低能耗的优势发挥到多大？不着急，接下来，就由ASEMI工程就为大家详细介绍这两款封装的区别及优点。
ASEMI低压降肖特基二极管SBT2060VFCT全塑封装绝缘性更好
我们经常所说采用塑封或者全塑封，就是指肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。它所采用的材料是环氧树脂，这种环氧材料具有非常好的抗热性，肖特基二极管正负极，防氧化性及绝缘性都非常好。我们知道SBT2060VFCT应用领域多为电源高频整流环节，所以对安全性要求比较高，需要拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。正是这样，采用全塑封装的能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。
ASEMI肖特基二极管SBT2060VCT铁头封装散热性表现更佳
这款肖特基二极管除了有采用为保障电路安全的全塑封装外，低压降肖特基二极管，还有另外一种封装，那就是为解决散热性问题的铁头封装。采用铁头封装的型号打标方式为SBT2060VCT与全塑封装SBT2060VFCT相区别。这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。
综上所述，就是ASEMI“CT”/“FCT”和“VCT”/“VFCT”的含义差别与性能优势，不知工程及采购朋友掌握了没有呢？仅供参考，希望对大家在以后应用货采购上有所帮助。期待下期再会。
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