式中：CSlT=CS1IN+CSl，影像检测机，CS2T=CS2IN+CS2；本系统中可调整的内部增益GAIN取2；V2P25为芯片参考电压输出，微型金属件缺陷影像检测机，默认值为2．25 V；参考电压VREF可选O．5 V与2．5 V两个值，本系统中选取O．5 V。由于烧写EEPROM需要额外的16 V电压，本系统中将TEST引脚拉低使芯片处于测试状态，电阻外观缺陷影像检测机，通过I／O即可直接更改其寄存器。由于掉电后寄存器数据将丢失，所以每次上电后都需要对所有的寄存器进行初始化。需要特别指出的是，MS3110数据手册中给出的写寄存器时序图中，将数据输入时钟SCLK周期标为固定值2μs。在实验中我们发现，周期大于2μs时均可成功设置。
钽、铌电解电容
它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。
半可变电容
也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。调节的时候改变两片之间的距离或者面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。
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