助力UV-CLED器件开发，欧司朗与HexaTech签战略协议
2017年2月15日，全球的AlN单晶基板供应商HexaTech公司宣布，公司与德国雷根斯堡的欧司朗光电半导体有限公司签署两项战略协议。这些协议包括长期供应协议和若干HexaTech的知识产权(IP)许可，其中，前者涉及作为HexaTech公司2英寸（直径）基板开发项目的直接支持的氮化铝(AlN)基板。对HexaTech的氮化铝（AlN）基板的长期供应承诺，直接支持HexaTech的2英寸（直径）基板开发计划，以及授权某些HexaTech知识产权（IP）。HexaTech首席执行官John Goehrke表示，通过授权HexaTech的技术，紫外线探测器供应，欧司朗能够加速其基于HexaTech材料的UV-CLED器件开发。
由于在电晕放电和火焰检测，紫外荧光，紫外线探测器厂家，紫外天文学，紫外雷达和通信，以及喷气发动机和导i弹尾羽的监测等方面的巨大应用前景，SiC紫外APD备受学术界和行业界的关注。目前，通常采用光电倍增管（PMT）来检测微弱的紫外信号，但PMT体积大、易破损、成本高、需要高压操作。SiC APD具有稳定性好、体积小、成本低，寿命长，和低电压操作等特点，有望替代PMT。然而，受SiC材料中的缺陷，不完善的物理模型，采购紫外线探测器，以及不成熟的制备工艺技术的限制，SiC APD的制备是很有挑战性的。最近，镓芯光电已开始量产高性能的SiC APD，该产品的增益高达106，并能实现单光子计数，在室温下的暗计数率低至~1 Hz/mm2。在特殊条件下，该器件甚至可以在150 oC的高温下实现紫外单光子计数。
第三代半导体材料，又称宽禁带半导体材料(Eg>2.3eV)，主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为主。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的热导率和击穿电场、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，在电力电子、微波射频和光电子三大领域有着广阔的应用前景。随着SiC和GaN器件制作工艺的逐步成熟和生产成本的降低，三明紫外线探测器，它们正在凭借其优良的性能逐步进入传统Si基半导体市场，并打破Si基由于材料本身性能所遇到的瓶颈，从而引领一轮新的产业革命。
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