二极管的结构
点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，808nm激光二极管，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成，如图 2.7所示。由于点接触型二极管金属丝很细， 形成的PN结面积很小， 所以，也不能承受高的反向电压和大的电流。这种类型的管子适于做高频检波和脉冲数字电路里的开关元件，450nm激光二极管， 也可用来作小电流整流。 如2APl是点接触型锗二极管， z1ui大整流电流为16mA，zu1i高工作频率为15OMHz。
平面型二极管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，830nm激光二极管，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，激光二极管，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
激光二极管获得绿光输出
InGaN激光二极管能获得500nm激光输出（蓝绿光）。进一步减小阈值电流密度能获得更长的输出波长。如果输出波长能达到520nm（绿光），这些激光器将成为微型投影仪的核心部件。前端镜反射率为70%及97%的激光器发射波长随泵浦电功率的增加而增加，增长斜率分别为4.56nm/W及4.34nm/W。ROHM公司的研究人员表示，要想获得稳定的输出波长，需要增加斜率效率或减小驱动电压。
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