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TFT显示屏拆开后的TFT显示屏结构为前钣金、显示屏（Panel）、驱动电路和背光源（Back Light）。显示屏和驱动电路的组合体称为 Open Cell。前钣金是一种含有卡扣的金属件结构，作用是把 Open Cell 和背光源固定起来，保护显示屏的玻璃边缘。显示屏是由灌好液晶的上下两片玻璃组成的盒子，负责显示各种画面。
驱动电路与显示屏相连，包括柔性印刷电路板（Flexible Printed Circuit，FPC）、驱动芯片（Integrated Circuit，IC）和印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）、接续基板，作用是通电后向显示屏提供各种显示画面的信息。背光源是由发光源、光学膜片、胶框等组成的结构，作用是给TFT显示屏提供光源。因为TFT显示屏的这种光源位于显示面的背面，所以被称为背光源。
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影响TFT开关品质的一个重要因素是栅极金属和源极金属之间的寄生电容C.引起的TFT充放电时的像素电压误写入。当栅极电压，从高电平的V。，瞬间下降到低电平的。时，的变换量被寄生电容Gg，耦合到像素电极，旋钮屏智能控制显示模块价格，导致像素电压产生跳变量，使得像素电压变为(VV)。因为V是C。耦合产生的，所以也叫馈通(Feedthrough)电压，记为。
图2-5给出了TFT关断前后瞬间像素电极相关电容参数及其电压和电量关系。其中，V，和V，分别对应像素上下相连的两根扫描线电压，V，和V，分别对应像素左右相连的两根数据线电压，Cap和Gdp2分别表示像素电极和左右相连两根数据线之间的耦合电容，G.和C，分别表示像素的液晶电容和存储电容，C。，是连接扫描线的栅极和连接像素电极的源极之间的寄生电容。TFT关断瞬间的像素总电荷守恒，所以图2-5(a)所示的TFT关断前瞬间的像素总电荷(Qc+Qc+Qdp1+Qdp2+Q)和图2-5(b)所示的TFT关断后瞬间的像素总电容(Q.+Q.+Qn'+Q.)相等。
综合TFT开关电流特性和品质特性的结构设计
在TFT结构设计上，提高开态电流的方法是增加沟道宽度W，降低关态电流的方法是采用遮光型结构。增加W会增加TFT所占面积，降低像素开口率，还会增加Cgs，在增大扫描线和数据线阻抗的同时影响TFT品质特性。U型结构的TFT既能增加沟道宽度W，又能有效控制TFT面积和C的值。在TFT开态，的面积就是C(ON)所示的对应1/2沟道长度的虚线所包围的面积，厚度是栅极金属和有源层之间的栅极绝缘层厚度tx。
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TFT器件的开关特性既可以用开关态的电流比特性表征，也可以用开关态电阻比特性表征。
1.电流比特性
TFT器件是一个三端开关管，这三端分别是连接扫描线的栅极、连接数据线的漏极、连接像素电极的源极。在栅极控制下，漏极的数据线通过半导体沟道向源极的像素充放电。对像素充放电时的TFT工作在大电流的开态，停止充放电后，TFT工作在小电流的关态。开态电流也叫工作电流，越大越好;关态电流1也叫漏电流，越小越好。TFT器件作为开关，基本的特性要求是开态电流和关态电流之间至少有6个数量级的差异。
LTPS TFT采用顶栅结构，一方面，可以在玻璃上直接生成a-Si薄膜，有利于扩大LTPS半导体层的工艺制作范围;另一方面，可以利用栅极进行自对准工艺控制，缩小沟道长度和寄生电容，提高TFT开关的工作速度。顶栅结构用PECVD沉积栅极绝缘膜时，沟道层会受到等离子体带来的损伤。例如，介质引入的氢会对沟道产生扩散作用。
共面结构的源漏电极与栅电极形成于有源层的同一侧，不存在源漏图形化过程中对背沟道的伤害问题且工艺简单。共面结构在刻蚀源漏极时，刻蚀液体或刻蚀气体会刻蚀掉部分栅极绝缘层，导致半导体/栅极绝缘层界面特性恶化，从而影响TFT器件特性。并且，共面结构的器件源漏接触不良问题，也是限制共面结构器件应用的一个关键问题。
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