[供应]IP2036_27A 英集芯 反激控制器 35W功率AC/DC芯片 内置MOSFET

IP2036_27A 英集芯 反激控制器 35W功率AC/DC芯片 内置MOSFET
发 布 地: 广东省
发布时间: 2026/2/3 11:00:37
有 效 期: 长期有效
报价: 面议
关 键 词: 移动电源芯片,锂电池充电芯片,车充芯片,无线充电芯
所属公司: 深圳市至为芯科技有限公司
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信息名称:[供应]IP2036_27A 英集芯 反激控制器 35W功率AC/DC芯片 内置MOSFET
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一、核心优势:高效、集成、灵活
1、高效率设计
宽开关频率范围:支持自适应频率调节,轻载时降低频率以减少开关损耗,满载时优化频率以降低器件温度,提升全负载范围效率。
谷底导通技术:内置谷底检测电路,在准谐振(QR)模式下实现软开关,进一步降低开关损耗。
频率折返技术:结合固定频率调制,减少 EMI 辐射的同时保持高效率。
2、高集成度
内置高压 MOSFET:减少外部元件数量,降低 BOM 成本,简化 PCB 设计,提升系统可靠性。
内置抖频电路:无需外部元件即可降低 EMI,简化滤波设计,节省空间。
优化变压器设计:结合芯片特性提供变压器参数建议,减少漏感与分布电容,提升能效。
3、灵活的工作模式
准谐振(QR)模式:中等负载下实现高效软开关,适用于手机、平板充电器。
强制开启与锁谷底模式:极轻载或空载时强制开启 MOSFET,配合突发模式降低待机功耗;锁谷底模式在特定负载下优化效率与噪声平衡。
突发模式(Burst Mode):轻载或空载时工作电流仅 250µA,满足 CoC V5 和 DoE VI 能效标准。

二、保护功能:全方位安全保障
1、电压保护
输出过压保护(VS_OVP):快速响应输出电压异常,防止损坏设备。
输出欠压保护(VS_UVP):避免低电压导致的性能下降或数据丢失。
VDD 过压保护(VDD_OVP):保护芯片供电电路,防止高压损坏。
Brown-in/Brown-out:防止输入电压跌落或恢复时的异常启动。
2、温度保护
过温保护(OTP):内置温度传感器,当芯片温度超过阈值时自动降频或关断,防止过热失效。
可配置 OTP 阈值:用户可根据应用场景调整过温保护触发点。
3、功率保护
过功率保护(OLP):限制输出功率,防止过载或短路导致的器件损坏。
精确恒流输出(CC):支持输入电压补偿,适用于电池充电器或 LED 驱动。

三、定制化配置:满足多样化需求
1、频率与保护阈值可调
频率(fBNK_MAX):通过外部电阻或引脚配置,优化效率与 EMI 平衡。
输出过压/欠压保护阈值(VVS_OVP/VVS_UVP):根据应用需求调整保护点。
VDD 过压保护阈值(VVDD_OVP):保护芯片供电电路安全。
2、模式选择与补偿
工作模式切换:通过引脚配置选择 QR 模式或强制开启模式。
输入电压补偿:支持 CC 模式下的输入电压补偿,提升恒流精度。

四、应用场景:覆盖主流快充与电源市场
1、手机、电脑适配器
支持 20W-65W 快充,兼容 PD、QC 等协议,满足小体积、高功率密度需求。
突发模式降低待机功耗,满足 CoC V5 和 DoE VI 标准。
2、高功率密度快速充电器
结合 GaN 器件,实现 100W 以上多口充电器设计(如 65W+65W 双 C 口方案)。
高集成度减少 PCB 面积,提升功率密度。
3、高能效反激式辅助电源
适用于服务器、工业设备等辅助电源,提升系统整体能效。
宽输入电压范围(如 90-264Vac)适应不同地区电网标准。

五、封装与能效标准
1、DASOP-8 封装
小型化设计(如 3mm×3mm),适合高功率密度适配器。
散热性能优化,降低热阻,提升可靠性。
2、能效标准合规
满足 CoC V5 和 DoE VI 等严苛标准,加速产品国际化认证。
轻载效率提升 10%+,满载效率≥92%,待机功耗<30mW。
公  司: 深圳市至为芯科技有限公司
联系人: 胡先生
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