[供应]IGBT热循环负载试验台

IGBT热循环负载试验台
发 布 地: 陕西省
发布时间: 2026/1/31 16:02:38
有 效 期: 长期有效
报价: 面议
关 键 词: 功率半导体器件测试,浪涌,雪崩。可控硅,晶闸管,碳化硅,二极管,三极管,IGBT,IGCT动静态测
所属公司: 陕西思米来测控技术有限公司
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信息名称:[供应]IGBT热循环负载试验台
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产品简介

该测试系统是晶闸管、整流二极管静态参数检验测试中不可缺少的测试设备。

该套测试设备主要有以下几个单元组成:

1)       门极触发参数测试单元

2)       维持电流测试单元

3)       阻断参数测试单元

4)       通态压降参数测试单元

5)       电压上升率参数测试单元

6)       擎住电流

7)       门极电阻

8)       计算机控制系统

9)       合格证标签打印

10)  夹具单元;包含平板夹具和模块夹具

二、技术条件

主要技术指标:

2.1  门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT

1.  阳极电压:12V;

2.  阳极串联电阻:6Ω;

3.  门极触发电压:0.3~5.00V±3%±10mV;

4.  门极触发电流:2~450mA±3%±1 mA;

2.2

维持电流测试单元IH

1. 阳极电压:12V;

2. 预导通电流: >10A,正弦衰减波;

3. 维持电流: 2~450mA  ±5%±1 mA;

4. 测试频率:单次;

2.3

通态压降测试单元VTM

1.     平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

2.     模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;

3.  电流上升沿时间:≥5ms;

4.  通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;

5.  测试频率:单次;

2.4

断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元

1.  阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;

模块单元阻断电压:0.20~4.00kV

2. 正反向自动测试:

3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;

精度:±5%±1 mA;

4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所  设定的范围则自动保护。  

5. 测试频率: 50HZ

2.5  断态电压临界上升率测试单元dv/dt

1.  电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%;

2.  电压过冲范围:<50V±10%

3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;

2.6

擎住电流IL:100-1800mA

2.7  平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式

三、功能概述

3-1测试功能范围

该套测试设备主要可测试以下参数:

1.       门极参数测试:VGT、IGT

2.       维持电流测试:IH

3.  阻断参数测试:本测试单元可用以测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。

4.       压降单元

本测试单元用来测量晶闸管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等参数。

5、          

电压上升率参数测试:dv/dt

6、          

擎住电流IL

7、          

门极电阻:适合门极触发电压在0.95V以上器件测试

3-2、测试方法和测试准则及原理满足  IEC 60747-6-2000 中关于晶闸管测试的具体规定。

(河北铁路交通行业)
公  司: 陕西思米来测控技术有限公司
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