3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路 通态压降测试电路高压充电电源：10~1500V连续可调支撑电容：额定电压2kV饱和通态压降电压探头精度要求：0.1～10V±3%±0.01V栅极电压输出要求：5～25V±1%±0.01V 集电极电流测试设备精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A测试脉冲宽度：0.1~1ms可设定4）栅极漏电流测试电路 栅极漏电流测试电路可调电源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；小电流测量设备精度：0.01～10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；脉冲时间：40~100ms可设定
IGBT测试装置技术要求（1）设备功能IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的国家标准，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，地铁专用IGBT测试仪价格，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，地铁专用IGBT测试仪加工，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
2.3栅极电荷技术条件测试参数：栅极电荷Qg：20nC～100uC 20nC～100nC±5%，分辨率±1nC 100nC～500nC±5%，地铁专用IGBT测试仪厂家，分辨率±5nC 500nC～2uC±5%，台湾地铁专用IGBT测试仪，分辨率±10nC 2uC～10uC±5%，分辨率±50nC 10uC～100uC±5%，分辨率±100nC测试条件：1、栅极驱动电压：-15V～+15V±3%，分辨率±0.1V2、集电极电流：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A;500～1000A±3%±5A;3、集电极电压：50～100V±3%±1V100～500V±3%±5V500V～1000V±3%±10V4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求
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