[供应]镇江镓芯光电科技(图)_紫外线传感器电路_漳州紫外线传感器

镇江镓芯光电科技(图)_紫外线传感器电路_漳州紫外线传感器
发 布 地: 江苏省
发布时间: 2018-5-27 10:10:55
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UV LED是LED的新旅程,被认为是下一代光源之一。半年来,UV LED已然成为LED论坛、LED实验室以及LED市场的新宠之一,加上水俣公约、节电优惠等政策推广助力,更多国内外企业加速布局,UV LED市场即将爆发。

集邦咨询LED研究中心(LEDinside)在发布的「2017紫外线LED与模组应用市场报告」中指出,UV LED市场产值于2017年将成长至2.88亿美元(折合约19.56亿元);2020年更上看5.26亿美元(折合约35.73亿元),2015-2020年复合成长率(CAGR)达34%。以紫外线LED封装营收来看,日本与韩国厂商稳坐前五名,依序为日亚化、Nitride Semiconductors、Seoul Viosys、LG Innotek与USHIO/Epitex。

在国内外政策、设备完善等的推动下,UV LED的市场渗透率大大提升,根据LEDinside观察,UV LED依应用来看,主要为UV-ALED应用于光固化市场,紫外线传感器电路,其中又以需要高辐射照度的平版印刷、高均匀光的曝光机应用市场最受追捧,一些特殊固化市场需求也逐渐兴起。

此外,漳州紫外线传感器,LEDinside预估,受惠于UV-CLED技术提升,2017年厂商将陆续推出UV-CLED产品。其中,流动式水杀菌仍需等待时机成熟,消费性产品、空气清净机与空调产品、静止水杀菌等市场,较有机会先行起飞。

回顾前半年,随着企业的强强联合以及一系列UV LED新品的陆续登场,UV LED技术也在加速进步中。接下来不妨一起看看各地各厂关于UV LED的发展动态。


蓝宝石衬底上典型的UV-LED外延结构图。与GaN基蓝光LED相比,深紫外LED的研制面临着许多独特的技术困难,如:高Al组分AlGaN的材料的外延生长困难,一般而言,Al组分越高,晶体质量越低,位错密度普遍在109cm-2—1010cm-2乃至更高; AlGaN材料的掺杂与GaN相比要困难得多,不论n型掺杂还是p型掺杂,随着Al组分的增加,外延层的电导率迅速降低,尤其是p-AlGaN的掺杂尤为棘手,掺杂剂Mg的激i活效率低下,导致空穴不足,导电性和发光效率锐降;同时紫外LED往往在平面蓝宝石衬底上外延生长,出光效率低等等。针对这些技术难点,目前已经发展出一些解决方案,如AlN同质衬底技术、纳米图形衬底外延技术(NPSS)和透明p型层技术等等。

手机快速充电带动氮化镓组件普及

相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地,氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散,与碳化硅组件连手改变电力电子产业原本由硅组件主导的格局。

德州仪器(TI)模拟IC应用经理萧进皇表示,氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性,能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势,因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域受到市场相当不错的回响,应用需求也越来越多。

德州仪器模拟IC应用经理萧进皇认为,氮化镓技术对于电源应用的小型化与功率密度提升,能带来十分明显的帮助。

整体来说,目前氮化镓与碳化硅的应用分界点为600伏特。 600伏特以上的电力电子应用是碳化硅组件的天下,200~600伏特则是氮化镓具有优势。 由这个应用分野不难看出,紫外线传感器供应,就出货数而言,氮化镓将具备先天优势,因为许多消费性电子产品都有机会使用到氮化镓组件。

近年来在消费性电源领域引发话题的手机快速充电、USB-PD等技术,就是氮化镓组件可以大展身手的舞台。和电动车的情况类似,快速充电也是智能型手机或便携设备用户非常欢迎的功能,而为了缩短电池充电时间,充电器必须用更高的电压或更大电流对电池充电。 但行动装置的充电器本身也属可携式产品,紫外线传感器价格,其外观尺寸不能为了支持快速充电而增加太多,于这使得充电器制造商必须改用氮化镓组件来实现产品设计。

也因为消费性市场存在可观的潜在需求,相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下,氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。 戴乐格(Dialog)便是与台积电合作,利用台积电标准化的650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术,推出可大规模量产的解决方案。

不过,氮化镓阵营的业者也有问鼎大功率应用的企图心。 研究机构Yole Developpement便预测,到2020年时,氮化镓组件将进军600~900伏特市场,与碳化硅组件的竞争关系升温。


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